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分立半导体
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A3T21H450W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥1,035.3399
1035.3399
5
¥1,014.9773
5074.8865
10
¥967.6416
9676.416
25
¥947.3581
23683.9525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.4 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935352756128
单位重量
6.033 g
商品其它信息
优势价格，A3T21H450W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N5551
Microsemi
分立半导体
整流器 Standard Rectifier (trr more than 500ns)
1:¥114.7967
10:¥104.3442
25:¥96.5133
50:¥91.2814
参考库存:29007
TZ800N12KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 1500A SINGLE
1:¥2,739.572
5:¥2,673.6478
10:¥2,607.2603
25:¥2,570.6822
参考库存:29010
UES1303
Microsemi
分立半导体
整流器 Diode Gen Purpose 150V 6A Axial
1:¥248.6565
5:¥237.5147
10:¥230.0567
25:¥211.3891
参考库存:6972
682-4
Microsemi
分立半导体
桥式整流器 3 Phase Bridge
1:¥2,295.595
2:¥2,240.3493
5:¥2,207.5341
10:¥2,176.3348
参考库存:29015
680-1
Microsemi
分立半导体
桥式整流器 Single Phase Bridge
1:¥1,278.9227
2:¥1,248.1867
5:¥1,229.9033
10:¥1,212.5352
参考库存:29018
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