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分立半导体
BUK768R1-100E,118参考图片

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BUK768R1-100E,118

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET TrenchMOS N-Channel
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数量单价合计
4,800
¥6.5201
31296.48
9,600
¥6.2602
60097.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
8.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
108 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
263 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
49.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
44.1 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
23.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，BUK768R1-100E,118的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2EZ17DE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:28488
DMC1229UFDB-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
10,000:¥1.1639
参考库存:16351
VB40M120C-E3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A,120V,TRENCH SKY RECT.
2,000:¥7.9891
3,000:¥7.4354
5,000:¥7.1529
10,000:¥6.8817
参考库存:28493
SD2931-15W
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥494.3863
5:¥483.3236
10:¥464.4187
25:¥449.4349
参考库存:28496
1N5933PE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:28499
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