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分立半导体
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2N3767

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 4.0A 25W
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数量单价合计
90
¥117.3392
10560.528
120
¥107.802
12936.24
270
¥98.2761
26534.547
510
¥87.5185
44634.435
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-66-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
增益带宽产品fT
10 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N3767
直流电流增益 hFE 最大值
160 at 500 mA, 5 V
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 1 A, 10 V
Pd-功率耗散
25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
零件号别名
2N3767 PBFREE
商品其它信息
优势价格，2N3767的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MURT40020R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
25:¥789.4519
50:¥773.1686
100:¥745.348
参考库存:28450
D1FP3-5073
Shindengen
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VRM=30 IFSM=60
7,500:¥3.4239
22,500:¥2.9606
参考库存:28453
MUR20010CT
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 100V 200A Super Fast Recovery
25:¥589.6679
50:¥577.5317
100:¥556.7058
参考库存:28456
CMST5086 BK
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
60,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:28459
1N4590R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A 400PV
60:¥252.8036
100:¥240.0459
200:¥224.0677
参考库存:28462
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