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分立半导体
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STU6N65K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650 V 1.1 Ohm 5.4 A SuperMESH3
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1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.0681
60.681
100
¥4.6669
466.69
500
¥4.1132
2056.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
系列
STU6N65K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STU6N65K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TZX27X-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE DO35-e2
1:¥1.921
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
参考库存:53942
SD103CWS-HG3-18
Vishay Semiconductors
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肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE SOD323-HG3
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.04525
500:¥0.83733
参考库存:53945
BZT55C9V1-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.5537
500:¥0.46104
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:53948
PDZ27BZ
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 PDZ27B/SOD2/MULTI-REEL 7" Q1/T
3,000:¥0.1921
30,000:¥0.1921
60,000:¥0.17628
120,000:¥0.14577
参考库存:53951
BZX84W-B4V3F
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 BZX84W-B4V3 SC-70
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
参考库存:53954
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