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分立半导体
PMDPB80XP,115参考图片

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PMDPB80XP,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET
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数量单价合计
3,000
¥1.11418
3342.54
9,000
¥1.04525
9407.25
24,000
¥0.9831
23594.4
45,000
¥0.9605
43222.5
99,000
¥0.92999
92069.01
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-2020-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Qg-栅极电荷
5.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Nexperia
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格，PMDPB80XP,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSKV56/06
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 600 Volt 60 Amp 1256 Amp ITSM
1:¥312.8179
5:¥304.5124
10:¥292.6813
25:¥270.7028
参考库存:24179
T4771N28TOF
Infineon Technologies
分立半导体
SCR PCT 2800V
1:¥22,928.1294
参考库存:24182
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 2400 Volt 1473 Amp
1:¥2,152.1302
5:¥2,100.4214
10:¥2,048.2493
25:¥2,019.5134
参考库存:24185
SIHG33N65E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥52.7145
10:¥47.4826
25:¥43.2564
100:¥39.0302
250:¥35.8888
500:¥32.7361
参考库存:24188
VS-VSKC56/14
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 1400 Volt 60 Amp 1360 Amp IFSM
1:¥284.6922
5:¥277.1664
10:¥266.4088
参考库存:24191
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