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分立半导体
AFT18S290-13SR3参考图片

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AFT18S290-13SR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
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库存:24,956(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥908.1697
227042.425
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.2 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-880XS-2L4S
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1995 MHz
系列
AFT18S290_13S
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
263 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935317893128
单位重量
9.734 g
商品其它信息
优势价格,AFT18S290-13SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 1.0W 5%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,500:¥1.7854
4,500:查看
参考库存:3870
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20volt 2.0amp
1:¥4.068
10:¥2.8137
100:¥1.8984
500:¥1.5255
3,000:¥1.05316
6,000:查看
参考库存:5972
分立半导体
MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:6386
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30Volt 200mA Single
1:¥2.9945
10:¥1.7176
100:¥0.92208
500:¥0.73789
10,000:¥0.3842
20,000:查看
参考库存:11969
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
1,000:¥3.6047
参考库存:3885
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