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分立半导体
MRFE6S9125NR1参考图片

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MRFE6S9125NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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数量单价合计
500
¥487.3238
243661.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 66 V
增益
20.2 dB
输出功率
27 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-4
封装
Reel
配置
Single
高度
2.64 mm
长度
17.58 mm
工作频率
880 MHz
系列
MRFE6S9125N
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935314059528
单位重量
1.646 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6S9125NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.221
500:¥11.526
3,000:¥8.9157
6,000:查看
参考库存:5961
分立半导体
MOSFET PSMN013-60YL/LFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
1,500:¥1.7628
参考库存:33775
分立半导体
达林顿晶体管 HV DarArray 5, 25V 7Drivers 500mA 250ns
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
5,000:¥1.4577
参考库存:7506
分立半导体
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,500:¥7.2659
4,500:查看
参考库存:3937
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creepage package
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
参考库存:5753
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