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分立半导体
MRF6V2150NBR1参考图片

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MRF6V2150NBR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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数量单价合计
500
¥364.0634
182031.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
25 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Reel
配置
Single Dual Drain Dual Gate
高度
2.64 mm
长度
23.67 mm
工作频率
220 MHz
系列
MRF6V2150N
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.62 V
零件号别名
935316841528
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，MRF6V2150NBR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GBPC2506 T0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 25A, 600V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥27.5833
10:¥23.6622
100:¥18.5207
200:¥16.5997
参考库存:18517
MT160CB16T2-BP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
分立半导体模块 160A, 1600V Thyristor Module
10:¥320.1968
30:¥305.7441
50:¥301.2128
100:¥289.2235
200:¥286.1499
参考库存:18520
DTB743XETL
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DIGI -200MA/-30V
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:18523
APT60M75JVR
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power MOSFET - MOS5
1:¥642.9248
5:¥622.7882
10:¥603.8833
25:¥576.6842
参考库存:18526
GBPC3502 T0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 35A, 200V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥27.8206
10:¥24.1255
50:¥19.5151
100:¥16.7466
500:¥14.0572
参考库存:18529
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