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分立半导体
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FZ800R12KS4_B2

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¥7,498.5896
7498.5896
5
¥7,378.7192
36893.596
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.7 V
在25 C的连续集电极电流
1200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
7.6 kW
封装 / 箱体
IHM130
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ800R12KS4B2NOSA1 SP000100554
商品其它信息
优势价格，FZ800R12KS4_B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N4619DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥140.1539
250:¥128.6279
500:¥122.4016
参考库存:54214
JAN1N5541C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥101.7339
250:¥92.7504
500:¥86.7501
1,000:¥79.5294
参考库存:54217
JANTXV1N965CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥249.956
250:¥229.3674
参考库存:54220
JAN1N4463C
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥136.165
250:¥124.9441
500:¥118.9438
参考库存:54223
JANTX1N3021C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥146.9226
250:¥134.8542
500:¥128.3228
参考库存:54226
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