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分立半导体
RJK5015DPK-00#T0参考图片

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RJK5015DPK-00#T0

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库存:24,604(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.7196
41.7196
10
¥37.1883
371.883
25
¥33.5045
837.6125
50
¥32.0468
1602.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
RJK5015
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Renesas Electronics
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
59 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
42 ns
商品其它信息
优势价格,RJK5015DPK-00#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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