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分立半导体
SIHFU9220-GE3参考图片

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SIHFU9220-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
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库存:4,885(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.9777
59.777
100
¥4.5878
458.78
500
¥3.955
1977.5
1,000
¥3.1075
3107.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.1 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.3 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
商品其它信息
优势价格,SIHFU9220-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:28488
分立半导体
MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
10,000:¥1.1639
参考库存:16351
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A,120V,TRENCH SKY RECT.
2,000:¥7.9891
3,000:¥7.4354
5,000:¥7.1529
10,000:¥6.8817
参考库存:28493
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥494.3863
5:¥483.3236
10:¥464.4187
25:¥449.4349
参考库存:28496
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:28499
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