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IKB03N120H2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
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数量单价合计
1
¥18.7467
18.7467
10
¥15.9104
159.104
100
¥12.7577
1275.77
500
¥11.1418
5570.9
1,000
¥9.2208
9220.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
IKB03N120
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
9.6 A
高度
4.4 mm
长度
10.25 mm
宽度
9.9 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
IKB03N120H2ATMA1 IKB3N12H2XT SP000014272
单位重量
2 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD17C30P-E3-18
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