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分立半导体
SCT3030ALGC11参考图片

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SCT3030ALGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
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库存:5,670(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥189.8739
189.8739
5
¥187.8738
939.369
10
¥175.1161
1751.161
25
¥167.2852
4182.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247N-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
Qg-栅极电荷
104 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
262 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
9.4 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
41 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
SCT3030AL
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SCT3030ALGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:5220
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:23982
分立半导体
MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
1,000:¥9.1417
参考库存:3305
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SS SWCH DIO SPCL
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:20573
分立半导体
整流器 HIGH VOLTAGE
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
800:¥5.8647
参考库存:3710
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