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分立半导体
CSD13380F3T参考图片

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CSD13380F3T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V N ch MOSFET
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库存:8,834(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.96841
96.841
250
¥0.96841
242.1025
1,000
¥0.7458
745.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
76 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
550 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
0.73 mm
系列
CSD13380F3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
4.3 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
0.300 mg
商品其它信息
优势价格,CSD13380F3T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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7,500:¥0.9605
22,500:¥0.89948
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100,000:¥0.32996
参考库存:28325
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8,000:¥0.94468
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10,000:¥0.73789
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