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分立半导体
SCT3160KLGC11参考图片

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SCT3160KLGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
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数量单价合计
1
¥78.2186
78.2186
10
¥70.6928
706.928
25
¥67.3932
1684.83
100
¥58.4775
5847.75
250
¥55.8672
13966.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
103 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SCT3160KL
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SCT3160KLGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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100:¥0.45313
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10,000:¥0.20001
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