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分立半导体
SIR616DP-T1-GE3参考图片

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SIR616DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存：8,985(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.2659
726.59
500
¥6.2602
3130.1
1,000
¥4.9381
4938.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
42 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIR616DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N5811US
Microsemi
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥287.924
5:¥275.0081
10:¥266.4088
25:¥244.7354
参考库存:1604
NVMFS5C450NWFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1,500:¥3.0736
9,000:¥2.9606
24,000:¥2.8702
参考库存:45811
JAN1N1614
Microsemi
分立半导体
整流器 Standard Rectifier (trr more than 500ns)
1:¥530.8853
5:¥508.5226
10:¥499.6182
25:¥468.4189
参考库存:1611
2SB1188T100R
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 2A SO-89
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:1822
UDZSTE-1718B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 18V 200MW
1:¥2.4634
10:¥1.6724
100:¥0.69947
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:4309
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