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分立半导体
IPN50R800CEATMA1参考图片

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IPN50R800CEATMA1

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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.8871
1887.1
3,000
¥1.6046
4813.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.87 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.4 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
15.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
6.2 ns
零件号别名
IPN50R800CE SP001461196
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,IPN50R800CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
5,000:¥4.3957
10,000:查看
参考库存:9719
分立半导体
MOSFET N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V
1:¥22.826
10:¥18.3625
100:¥16.6788
250:¥15.0629
2,500:¥10.8367
5,000:查看
参考库存:7200
分立半导体
MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.5098
参考库存:5947
分立半导体
整流器 DFD RECTIFIER
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
参考库存:10721
分立半导体
MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6501
1,000:¥6.328
2,500:¥5.8986
参考库存:4739
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