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分立半导体
STGP7H60DF参考图片

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STGP7H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1981
3599.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP7H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
14 A
高度
4.6 mm
长度
15.85 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP7H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR模块 1600volt 600amp
1:¥2,624.7753
5:¥2,561.6874
10:¥2,498.0684
25:¥2,463.0271
参考库存:25925
分立半导体
SCR模块 1200 Volt 105 Amp 2094 Amp IFSM
1:¥351.317
5:¥341.938
10:¥328.6492
25:¥303.9813
参考库存:25928
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥160.2905
5:¥153.9851
10:¥148.2221
25:¥136.165
参考库存:25931
分立半导体
整流器 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass
1:¥12.3735
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.7574
参考库存:25934
分立半导体
双向可控硅 6A 600V Alt 双向可控硅 TO-252 D-PAK
1:¥12.9837
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0399
1,000:¥5.5596
参考库存:25937
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