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分立半导体
STB37N60DM2AG参考图片

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STB37N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
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数量单价合计
1
¥35.3464
35.3464
10
¥30.0467
300.467
100
¥26.0465
2604.65
250
¥24.6679
6166.975
1,000
¥18.6676
18667.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STB37N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB37N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥43.2564
10:¥34.804
100:¥31.7304
250:¥28.589
参考库存:1852
分立半导体
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1:¥3.9211
10:¥2.2939
100:¥1.3334
500:¥1.09158
3,000:¥0.72998
6,000:查看
参考库存:3256
分立半导体
稳压二极管 500mW Zener Diode 20mA 10.45 to 11.55
1:¥2.6894
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
2,500:¥0.41471
参考库存:11414
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
3,000:¥1.5594
6,000:¥1.5594
参考库存:37839
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥108.8077
10:¥98.8976
25:¥91.5187
50:¥86.6032
参考库存:37842
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