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分立半导体
STW65N65DM2AG参考图片

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STW65N65DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:3,587(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥63.9354
63.9354
10
¥57.7882
577.882
25
¥55.0988
1377.47
100
¥47.8668
4786.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW65N65DM2AG
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
11.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.5 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
114 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW65N65DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 200 Volt 22 Amp
1:¥98.197
10:¥89.2926
20:¥82.603
50:¥78.1508
参考库存:2260
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥5.6048
10:¥4.5991
100:¥2.9719
1,000:¥2.3843
2,500:¥2.0001
参考库存:6889
分立半导体
MOSFET 500V 28A N-Channel
1:¥37.3465
10:¥31.7304
100:¥27.5042
250:¥26.1256
参考库存:2483
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SW
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
参考库存:6124
分立半导体
MOSFET N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6783
500:¥5.8986
参考库存:3797
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