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分立半导体
ZXMS6004N8-13参考图片

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ZXMS6004N8-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8646
38.646
100
¥2.3617
236.17
1,000
¥1.8193
1819.3
2,500
¥1.5481
3870.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
IntelliFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET
系列
ZXMS6004
类型
Intellifet
宽度
3.9 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15 us
产品类型
MOSFET
上升时间
10 us
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 us
典型接通延迟时间
5 us
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMS6004N8-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
1,000:¥15.594
2,000:查看
参考库存:2070
分立半导体
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥82.4448
10:¥75.8456
25:¥72.6929
100:¥64.0032
参考库存:1295
分立半导体
MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8
1:¥17.2099
10:¥14.2945
100:¥11.0627
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
2,500:¥8.0682
参考库存:4625
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
500:¥16.5206
参考库存:3120
分立半导体
MOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2376
500:¥5.5144
1,000:¥4.3618
参考库存:6499
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