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分立半导体
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2N5367

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Vcbo 40V 40Vceo 4.0Vebo 300mA 625mW
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1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.5144
55.144
100
¥3.8194
381.94
1,000
¥2.8476
2847.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极—射极饱和电压
1 V
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
300 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
75 at 300 mA, 5 V
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5367 PBFREE
单位重量
206 mg
商品其它信息
优势价格，2N5367的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMEG2010AEJ,115
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100:¥2.486
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:4694
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