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CSD87502Q2T

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库存：3,827(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.068
40.68
100
¥2.6329
263.29
250
¥2.6329
658.225
1,000
¥2.1018
2101.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.0 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6 nC, 6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD87502Q2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
75 S, 75 S
下降时间
3 ns, 3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns, 11 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 3 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格，CSD87502Q2T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT55C51
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 51 Volt 500mW 5%
10,000:¥0.22261
25,000:¥0.2147
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:33704
UMZ30KFHTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 755-EDZVFHT2R30B
3,000:¥0.3842
参考库存:33707
PD57070S-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:33710
BZV55C3V9
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 500mW 5%
10,000:¥0.1921
25,000:¥0.18419
50,000:¥0.15368
100,000:¥0.13786
参考库存:33713
GBPC4004
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 40A 400V
200:¥18.2834
参考库存:33716
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