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分立半导体
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IKW40N65ES5

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数量单价合计
1
¥38.2618
38.2618
10
¥32.4988
324.988
100
¥28.2048
2820.48
250
¥26.7358
6683.95
500
¥23.9786
11989.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
79 A
Pd-功率耗散
230 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N65ES5XKSA1 SP001319680
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW40N65ES5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N4622UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥67.3141
117:¥67.3141
200:¥61.8562
500:¥56.3983
1,000:¥49.0985
参考库存:51352
1N4576-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥64.8507
110:¥64.8507
200:¥59.6301
500:¥54.3304
1,000:¥47.3357
参考库存:51355
JAN1N966CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥81.8346
250:¥74.6139
500:¥69.8453
1,000:¥64.0032
参考库存:51358
JAN1N5522B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥56.9407
138:¥56.9407
200:¥52.3303
500:¥47.7199
1,000:¥41.5727
参考库存:51361
CDLL5538A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥50.2511
142:¥50.2511
200:¥46.1831
500:¥42.1038
1,000:¥36.6572
参考库存:51364
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