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分立半导体
STD9HN65M2参考图片

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STD9HN65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.78
67.8
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.5991
2299.55
2,500
¥3.2205
8051.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
820 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
11.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.1 mm
产品
Power MOSFET
系列
STD9HN65M2
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh M2
宽度
6.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
14.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD9HN65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1,700:¥1.5142
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12,000:¥0.53788
24,000:¥0.49946
45,000:¥0.44522
99,000:¥0.43053
参考库存:33037
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1,200:¥5.1867
2,400:¥4.7008
4,800:¥4.5991
9,600:¥4.2149
参考库存:33040
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3,000:¥1.6272
参考库存:33043
分立半导体
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15,000:¥0.50737
22,500:¥0.45313
45,000:¥0.4068
97,500:¥0.37629
参考库存:33046
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