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分立半导体
IPS80R1K4P7AKMA1参考图片

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IPS80R1K4P7AKMA1

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库存:2,023(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.1133
61.133
100
¥4.7008
470.08
500
¥4.1471
2073.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
CoolMOS P7
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPS80R1K4P7 SP001422736
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IPS80R1K4P7AKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
1:¥81.4504
10:¥74.919
25:¥71.7663
100:¥63.2348
参考库存:8001
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-M3
1:¥3.6838
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
参考库存:33355
分立半导体
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
1:¥4.1471
10:¥3.0623
100:¥1.921
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:3568
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥76.84
10:¥69.4611
25:¥66.2406
100:¥57.4718
参考库存:51156
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥85.4506
10:¥76.9191
25:¥70.0826
50:¥65.2349
参考库存:3472
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