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分立半导体
ES6U3T2CR参考图片

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ES6U3T2CR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4V Drive Nch+SBD MOSFET
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库存:21,264(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
8,000
¥1.4012
11209.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563T-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel, SBD
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ES6U3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
ES6U3
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,ES6U3T2CR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1:¥7.5258
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3392
1,500:¥3.0397
9,000:查看
参考库存:3544
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥3.2318
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
4,000:¥0.87575
参考库存:7979
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.695
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:21324
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.7629
10:¥2.5764
100:¥1.7402
500:¥1.4012
1,500:¥0.9605
4,500:查看
参考库存:14216
分立半导体
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA
1:¥2.8476
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:21640
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