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分立半导体
DTA114ECAT116参考图片

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DTA114ECAT116

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 100MA 3PIN
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库存:21,013(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.2487
22.487
100
¥1.03734
103.734
1,000
¥0.79891
798.91
3,000
¥0.67574
2027.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
最大工作频率
250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
-
集电极连续电流
- 100 mA
峰值直流集电极电流
- 100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
系列
DTA114ECA
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
-
输出电压
- 100 mV
商标
ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流
- 100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
DTA114ECA
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DTA114ECAT116的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:5815
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
1,000:¥12.3735
2,000:查看
参考库存:5669
分立半导体
稳压二极管 0.5W 5.6V 5%
1:¥1.2317
10:¥1.02943
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
参考库存:50396
分立半导体
MOSFET OptiMOS - power MOSFET for automotive applications
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥13.9103
500:¥12.2153
5,000:¥9.0626
10,000:查看
参考库存:9544
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 6.2V 1% 250mW 3-Pin
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.11418
3,000:¥0.9605
参考库存:42062
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