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分立半导体
KTC3198-GR A1G参考图片

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KTC3198-GR A1G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Hfe 200-400
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.9775
197.75
1,000
¥0.66105
661.05
4,000
¥0.54579
2183.16
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.25 V
最大直流电集电极电流
0.15 A
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Reel
商标
Taiwan Semiconductor
集电极连续电流
0.15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
217 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG03B62-HM3-18
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稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5594
12,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
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BYM12-50HE3_A/I
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Microsemi
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1,500:¥6.328
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9,000:¥5.8647
参考库存:32321
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