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分立半导体
TSM220NB06CR RLG参考图片

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TSM220NB06CR RLG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V 35A Single N-Chan Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.763
57.63
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.277
1638.5
2,500
¥2.3052
5763
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
TSM
晶体管类型
Single N-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
3 ns
商品其它信息
优势价格,TSM220NB06CR RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 150MW 2.2K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:25855
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30:¥254.8828
50:¥246.8824
100:¥238.9724
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参考库存:25861
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1:¥7.1416
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
参考库存:25864
分立半导体
双向可控硅 TAPE13 3Q TRIAC
4,800:¥3.4917
9,600:¥3.3561
24,800:¥3.2544
参考库存:25867
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