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分立半导体
STH315N10F7-6参考图片

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STH315N10F7-6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
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库存：7,137(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.7987
41.7987
10
¥35.5724
355.724
100
¥30.8151
3081.51
250
¥29.1992
7299.8
1,000
¥22.1254
22125.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH315N10F7-6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
108 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
148 ns
典型接通延迟时间
62 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，STH315N10F7-6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N4119CUR-1/TR
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50:¥1,172.9626
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2,400:¥3.0849
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24,000:¥2.5199
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1,000:¥3.7855
2,000:¥3.2431
4,000:¥2.9606
10,000:¥2.7007
24,000:¥2.6555
参考库存:48846
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