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分立半导体
STGW15M120DF3参考图片

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STGW15M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
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库存:4,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.1777
51.1777
10
¥46.2622
462.622
25
¥44.1039
1102.5975
100
¥38.2618
3826.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW15M120DF3
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW15M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A
1:¥6.9947
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
参考库存:3336
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A 100V TO-277B
1:¥7.7631
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
5,000:¥3.3448
参考库存:11526
分立半导体
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
1,500:¥1.7628
参考库存:5111
分立半导体
稳压二极管 94-106Vz(V) 2Iz(mA) AEC-Q101 Qualified
1:¥3.842
10:¥2.9267
100:¥1.5933
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.02943
参考库存:7300
分立半导体
双向可控硅 400V 8A 50-50-50mA
1:¥15.2098
10:¥12.2153
100:¥9.831
500:¥8.6106
1,000:¥7.0964
参考库存:3316
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