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分立半导体
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STAC3933

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
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数量单价合计
1
¥836.0192
836.0192
5
¥820.6512
4103.256
10
¥783.6889
7836.889
25
¥757.5633
18939.0825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
29 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Tube
配置
Dual Common Source
工作频率
30 MHz
系列
STAC3933
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
8 S
Pd-功率耗散
795 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,STAC3933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 200volts 1.0amp
1:¥3.7629
10:¥2.825
100:¥2.1018
500:¥1.7289
10,000:¥1.05994
20,000:查看
参考库存:14124
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
1:¥57.1667
10:¥51.7088
25:¥49.2567
100:¥42.8044
参考库存:4127
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥133.0914
10:¥120.9439
25:¥111.8813
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分立半导体
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
10,000:¥0.46104
20,000:查看
参考库存:4191
分立半导体
整流器 16A,600V,GLASS Pass Superfast,DUAL Rect
1:¥9.9101
10:¥9.0626
100:¥6.9947
500:¥5.1867
参考库存:6128
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