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分立半导体
STB20NM60D参考图片

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STB20NM60D

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 600V 0.26 Ohm 20A
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¥42.6462
42.6462
10
¥36.273
362.73
100
¥31.4253
3142.53
250
¥29.8094
7452.35
1,000
¥22.5887
22588.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
192 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB20NM60D
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB20NM60D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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4,000:¥3.3448
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