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分立半导体
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PD54008-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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数量单价合计
1
¥120.7179
120.7179
10
¥110.9547
1109.547
25
¥106.3443
2658.6075
100
¥93.7448
9374.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
11.5 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD54008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD54008-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTB082N65S3F
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
1:¥36.4199
10:¥30.962
100:¥26.8149
250:¥25.4363
500:¥22.826
800:¥22.826
参考库存:3557
QJ6016RH4TP
Littelfuse
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双向可控硅 60V 16A 35mA HI TEMP TO-220AB Non-Isolate
1:¥23.5153
10:¥18.9049
100:¥17.2099
250:¥15.594
500:¥13.9894
参考库存:4014
IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥54.0931
10:¥48.8725
25:¥46.6464
100:¥40.4992
3,000:¥29.5834
参考库存:4731
A1P25S12M3
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥281.7768
5:¥278.8501
10:¥259.8774
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参考库存:3455
SJ6016LTP
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SCR 16A High Temp Thyristor
1:¥15.6731
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
1,000:¥7.3224
参考库存:3984
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