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分立半导体
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STGF20NB60S

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N Ch 13A-600V
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¥22.2836
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10
¥18.9049
189.049
100
¥15.142
1514.2
500
¥13.221
6610.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF20NB60S
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
24 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STGF20NB60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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