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分立半导体
DMN1002UCA6-7参考图片

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DMN1002UCA6-7

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库存:6,331(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.7743
57.743
100
¥3.729
372.9
1,000
¥2.9832
2983.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X4-DSN3118-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
24.4 A
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4 V
Qg-栅极电荷
45.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.47 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.193 ms
产品类型
MOSFET
上升时间
2.186 ms
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
2.643 ms
典型接通延迟时间
1.005 ms
商品其它信息
优势价格,DMN1002UCA6-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 22K
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:5956
分立半导体
稳压二极管 100mW 20V
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
1,000:¥0.43053
8,000:¥0.27685
24,000:查看
参考库存:4763
分立半导体
稳压二极管 38.02-39.98V 2mA SOD-323FL; UMD2
1:¥2.147
10:¥1.5029
100:¥0.62263
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:8806
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans
1:¥1,046.8659
25:¥905.4012
100:¥783.0787
参考库存:2888
分立半导体
桥式整流器 VRM=800 IFSM=170
1:¥18.8258
10:¥16.2155
100:¥14.5205
250:¥13.6052
参考库存:2937
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