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分立半导体
DMP10H4D2S-13参考图片

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DMP10H4D2S-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
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库存:27,461(价格仅供参考)
数量单价合计
10,000
¥0.56048
5604.8
20,000
¥0.52997
10599.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
270 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
380 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.975 mm
长度
2.9 mm
系列
DMP10
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.4 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMP10H4D2S-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.458
1,000:¥6.1698
参考库存:4773
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
4,000:¥1.01474
参考库存:8425
分立半导体
MOSFET MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8704
1,000:¥5.4127
参考库存:2875
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.4523
1,000:¥5.0963
3,000:¥5.0963
参考库存:8152
分立半导体
MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8873
250:¥5.8873
500:¥5.198
参考库存:2590
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