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IFN112

  • InterFET
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  • JFET N-Ch -50Vgss -1.2Vgs 10mA 360mW 2.88mW
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数量单价合计
100
¥65.7773
6577.73
250
¥59.9352
14983.8
500
¥56.0932
28046.6
1,000
¥51.4037
51403.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18-3
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vgs-栅源极击穿电压
- 50 V
Vgs=0时的漏-源电流
9 mA
Pd-功率耗散
360 mW
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
7 mS
闸/源截止电压
- 1.2 V
工厂包装数量
1
商品其它信息
优势价格，IFN112的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.32318
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1:¥1.07576
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
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10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
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1N5407-E3/73
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分立半导体
整流器 3.0 Amp 800 Volt
1:¥4.3844
10:¥2.938
100:¥1.9775
500:¥1.5933
1,000:¥1.1978
2,000:¥1.09836
参考库存:10051
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