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分立半导体
BC849BW,135参考图片

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BC849BW,135

  • Nexperia
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE
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数量单价合计
1
¥1.3786
1.3786
10
¥1.2995
12.995
100
¥0.46104
46.104
1,000
¥0.30736
307.36
10,000
¥0.20792
2079.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 2 mA, 5 V
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Nexperia
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 2 mA, 5 V
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
/T3 BC849BW
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BC849BW,135的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
1:¥81.4504
10:¥74.919
25:¥71.7663
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1:¥3.6838
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
参考库存:33355
分立半导体
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
1:¥4.1471
10:¥3.0623
100:¥1.921
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:3568
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥76.84
10:¥69.4611
25:¥66.2406
100:¥57.4718
参考库存:51156
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥85.4506
10:¥76.9191
25:¥70.0826
50:¥65.2349
参考库存:3472
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