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分立半导体
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STW3N170

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
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数量单价合计
1
¥32.1937
32.1937
10
¥27.3573
273.573
100
¥23.7413
2374.13
250
¥22.5096
5627.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.7 kV
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
13 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerMESH
封装
Tube
系列
STW3N170
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
53 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,STW3N170的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:23673
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