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分立半导体
STD15N50M2AG参考图片

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STD15N50M2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.336 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.605
96.05
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7348
3367.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
336 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
系列
STD15N50M2AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格，STD15N50M2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC55-10PASX
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
3,000:¥0.63732
9,000:¥0.58421
24,000:¥0.54579
45,000:¥0.49155
99,000:¥0.46895
参考库存:25282
A2G22S160-01SR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:25285
2N3867
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥55.935
1,000:¥53.8671
参考库存:25288
VT10200C-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A, 200V,TRENCH SKY RECT.
3,000:¥4.5087
参考库存:25291
FDB2532-F085
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
800:¥18.984
2,400:¥17.9783
4,800:¥17.289
参考库存:25294
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