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分立半导体
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STGB30H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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1
¥20.3626
20.3626
10
¥17.289
172.89
100
¥15.0629
1506.29
250
¥14.2945
3573.625
500
¥12.8368
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H60DLFB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGB30H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥0.20001
20,000:查看
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DTA123JUAT106
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双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
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1,000:¥1.2882
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100:¥6.1359
500:¥5.424
1,000:¥4.2827
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