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分立半导体
MRF1K50H-TF1参考图片

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MRF1K50H-TF1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1
¥7,203.75
7203.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
36 A
Vds-漏源极击穿电压
135 V
增益
23.7 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4S
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
系列
MRF1K50H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935335254598
商品其它信息
优势价格,MRF1K50H-TF1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 0.2W 5%
1:¥2.3052
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
3,000:¥0.3842
6,000:查看
参考库存:10927
分立半导体
稳压二极管 62 Volt 0.5W 2%
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66896
500:¥0.56839
2,500:¥0.33787
5,000:查看
参考库存:13358
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 0.5 Watt
1:¥1.6159
10:¥1.3899
100:¥0.59212
500:¥0.49155
2,500:¥0.27685
5,000:查看
参考库存:20658
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.35Watt 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.32318
参考库存:15992
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.5W 5%
1:¥1.5368
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:30077
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