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分立半导体
STGIPQ3H60T-HZ参考图片

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STGIPQ3H60T-HZ

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
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库存:4,381(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥62.0822
62.0822
10
¥56.0932
560.932
25
¥53.4829
1337.0725
100
¥46.4091
4640.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
封装 / 箱体
N2DIP-26
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
系列
STGIPQ3H60T-HZ
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
单位重量
4 mg
商品其它信息
优势价格,STGIPQ3H60T-HZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
500:¥15.6731
3,000:¥15.6731
参考库存:7437
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:19393
分立半导体
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:9347
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:8028
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
5,000:¥2.9154
参考库存:15894
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