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分立半导体
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STW43N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
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数量单价合计
1
¥43.7988
43.7988
10
¥37.1883
371.883
100
¥32.2728
3227.28
250
¥30.5778
7644.45
500
¥27.4364
13718.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
93 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW43N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
29 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW43N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SS32HE3_A/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
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Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥6.1811
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参考库存:26978
1N5925AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥5.1754
10,000:¥4.7912
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分立半导体
双向可控硅 400V .8A Sensing 3-3-3-3mA
5,000:¥3.4126
10,000:¥3.2883
25,000:¥3.1866
参考库存:26984
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