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分立半导体
STW37N60DM2AG参考图片

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STW37N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:4,348(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.4144
39.4144
10
¥33.5045
335.045
100
¥29.041
2904.1
250
¥27.5833
6895.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW37N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW37N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15A 45V
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1302
500:¥4.5313
800:¥3.5821
参考库存:5923
分立半导体
MOSFET NCH 1.7A 30V SOT-363
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.96841
参考库存:10874
分立半导体
整流器 1.0A 400V
1:¥3.3787
10:¥2.3843
100:¥1.09158
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.71416
参考库存:9923
分立半导体
双向可控硅 600V 8A 35-35-35mA
1:¥13.447
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2885
1,000:¥5.7743
2,500:¥5.7743
参考库存:6798
分立半导体
MOSFET 24A 60V N-Channel
1:¥7.2207
10:¥5.9438
100:¥3.842
1,000:¥3.0736
2,500:¥2.5877
参考库存:9414
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