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SIHB25N50E-GE3参考图片

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SIHB25N50E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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1
¥28.2048
28.2048
10
¥23.3571
233.571
100
¥19.21
1921
250
¥18.5998
4649.95
500
¥16.7466
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
550 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SIHB25N50E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MTZJ5V6SC R0G
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MTZJ4V3SB R0
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稳压二极管 zener 500mW 4V3
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:28770
CZRB3051-G
Comchip Technology
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1:¥4.3053
10:¥3.1527
100:¥2.147
1,000:¥1.4916
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1PGSMB5934 R5G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3W,24V,5%,ZENER,SMB
1:¥7.8422
10:¥4.6104
100:¥3.6612
500:¥2.1583
850:¥1.6159
1,700:¥1.4464
参考库存:28776
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