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分立半导体
DMTH6010LPSQ-13参考图片

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DMTH6010LPSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
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1
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10
¥8.8366
88.366
100
¥6.78
678
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¥5.989
2994.5
1,000
¥4.7234
4723.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
13.5 A
Rds On-漏源导通电阻
6.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH6010
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.4 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
单位重量
96 mg
商品其它信息
优势价格,DMTH6010LPSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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45,000:¥0.20792
参考库存:124039
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