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分立半导体
QPD1008参考图片

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QPD1008

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
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数量单价合计
1
¥1,536.80
1536.8
25
¥1,329.332
33233.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
4 A
输出功率
162 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
127 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.2 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1008PCB401
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1008的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1.0A 800V
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
5,000:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:10000
分立半导体
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.0629
500:¥13.5261
参考库存:2067
分立半导体
整流器 800V 3A Standard
1:¥3.0736
10:¥2.2035
100:¥1.01474
1,200:¥0.78422
2,400:¥0.66896
参考库存:4856
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥0.99892
10:¥0.88366
100:¥0.31527
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:16762
分立半导体
整流器 1.2KV 600A
1:¥1,766.7776
5:¥1,724.2896
10:¥1,681.4852
25:¥1,657.9021
参考库存:1672
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